Назад
Поклонский Н.А.
Ластовский С.Б.
Престинг Х.
Соболев Н.А.
Сягло А.И.
Влияние облучения электронами на p-n переходы в сверхрешетках Si-Ge
Докладчик:
Соболев Н.А.
Файл тезисов:
Sobolev_Abstract.doc
К списку докладов
Комментарии
Имя:
Код подтверждения: