Back
Pchelyakov, Oleg
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71
Report
Фрицлер К.Б.
*
,
Чистохин И.Б.
*
,
Fomin B.I.
*
,
Калинин В.В.
*
,
Pchelyakov O.
*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
To participants list