Bekpo'latov, Ilhom Rustamovich
Ташкентский Государственный Технический Университет
Uzbekistan, 100095, Tashkent, Ташкент, Университетская, 2
Reports list
- Rysbaev A.S.*, Hujaniyozov J.B.**, Rahimov A.M.*, Fayzullaev R.F.*, Bekpo'latov I.R.*
Features of spectrums of characteristic losses of energy of electrons are in the ionic implanted layers of silicon
*Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
**Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan - Rysbaev A.S.*, Hujaniyozov J.B.**, Rahimov A.M.*, Fayzullaev R.F.*, Bekpo'latov I.R.*, Rysbaeva Z.A.*
Forming of nanosize thin-films of silicides on the surface of single-crystal of Si
*Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan
**Ташкентский Государственный Технический Университет (Tashkent), Uzbekistan