Гугин, Павел Павлович


Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Швейгерт И.В.*, Александров А.Л.*, Гугин П.П.**, Лаврухин М.А.**, Бохан П.А.**, Закревский Д.Э.**
    Влияние вторичной электронной эмиссии на субнаносекундное развитие пробоя при высоковольтном импульсном разряде
    * Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  2. Бохан П.А.*, Гугин П.П.*, Закревский Д.Э.*, Лаврухин М.А.*, Александров А.Л.**, Швейгерт И.В.**
    Высоковольтный планарный открытый разряд с генерацией встречных электронных пучков
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ** Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Новосибирск), Россия
  3. Бохан П.А.*, Гугин П.П.*, Закревский Д.Э.*, Лаврухин М.А.*
    Высоковольтный субнаносекундный обостритель на основе комбинации открытого и капиллярного разряда
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  4. Александров А.Л.*, Швейгерт И.В.*, Гугин П.П.**, Лаврухин М.А.**, Бохан П.А.**, Закревский Д.Э.**
    Моделирование послесвечения плазмы в сверхбыстром высоковольтном коммутаторе, основанном на явлении субнаносекундного пробоя
    * Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия

К списку участников