Бакшт, Евгений Хаимович

Старший научный сотрудник, Кандидат технических наук

Институт сильноточной электроники СО РАН
http://www.hcei.tsc.ru
Россия, 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Телефон: +7(382-2) 49-15-44, Факс: +7(382-2) 49-24-10

Список докладов

  1. Панарин В.А.*, Бакшт Е.Х.*, Печеницин Д.С.*, Скакун В.С.*, Соснин Э.А.*, Тарасенко В.Ф.*, Кузнецов В.С.*
    Апокамп — феномен формирования плазменной струи от изгиба канала импульсно-периодического разряда
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  2. Тарасенко В.Ф.*, Бураченко А.Г.*, Бакшт Е.Х.*
    Излучение полиметилметакрилата при облучении пучком убегающих электронов, сформированных в газовом диоде
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  3. Бакшт Е.Х.*, Беломытцев С.*, Бураченко А.Г.*, Гришков А.*, Шкляев В.А.*
    Стабильность формирования пучка убегающих электронов в азоте при давлении 100 Торр
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  4. Тарасенко В.Ф.*, Бакшт Е.Х.*, Ломаев М.И.*
    Убегающие электроны и волны ионизации при пробое газов высокого давления в неоднородном поле
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия

К списку участников