Рипенко, Василий Сергеевич

Аспирант

Институт сильноточной электроники СО РАН
http://www.hcei.tsc.ru
Россия, 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Телефон: +7(382-2) 49-15-44, Факс: +7(382-2) 49-24-10

Список докладов

  1. Шулепов М.А.*, Ерофеев М.В.*, Рипенко В.С.*, Тарасенко В.Ф.*
    Активация поверхности титана и ниобия посредством воздействия объемным разрядом, инициируемым пучком убегающих электронов в атмосфере азота
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  2. Шулепов М.А.*, Ерофеев М.В.*, Рипенко В.С.*, Тарасенко В.Ф.*
    Изменение концентраций примесей на поверхности титана после воздействия объемным разрядом в зависимости от времени
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  3. Рипенко В.С.*, Ерофеев М.В.*, Шулепов М.А.*, Тарасенко В.Ф.*
    Модификация поверхностных слоев меди объемным разрядом атмосферного давления
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  4. Рипенко В.С.*, Ерофеев М.В.*, Шулепов М.А.*, Тарасенко В.Ф.*
    Очистка и активация поверхности кремния объемным разрядом атмосферного давления
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия

К списку участников