Рипенко, Василий Сергеевич
АспирантИнститут сильноточной электроники СО РАН
http://www.hcei.tsc.ru
Россия, 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Телефон: +7(382-2) 49-15-44, Факс: +7(382-2) 49-24-10
Список докладов
- Шулепов М.А.*, Ерофеев М.В.*, Рипенко В.С.*, Тарасенко В.Ф.*
Активация поверхности титана и ниобия посредством воздействия объемным разрядом, инициируемым пучком убегающих электронов в атмосфере азота
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия - Шулепов М.А.*, Ерофеев М.В.*, Рипенко В.С.*, Тарасенко В.Ф.*
Изменение концентраций примесей на поверхности титана после воздействия объемным разрядом в зависимости от времени
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия - Рипенко В.С.*, Ерофеев М.В.*, Шулепов М.А.*, Тарасенко В.Ф.*
Модификация поверхностных слоев меди объемным разрядом атмосферного давления
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия - Рипенко В.С.*, Ерофеев М.В.*, Шулепов М.А.*, Тарасенко В.Ф.*
Очистка и активация поверхности кремния объемным разрядом атмосферного давления
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия