Тарасенко, Виктор Федотович

Заведующий лабораторией, Доктор физико-математических наук

Институт сильноточной электроники СО РАН
http://www.hcei.tsc.ru
Россия, 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Телефон: +7(382-2) 49-15-44, Факс: +7(382-2) 49-24-10

Список докладов

  1. Шулепов М.А.*, Ерофеев М.В.*, Рипенко В.С.*, Тарасенко В.Ф.*
    Активация поверхности титана и ниобия посредством воздействия объемным разрядом, инициируемым пучком убегающих электронов в атмосфере азота
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  2. Панарин В.А.*, Бакшт Е.Х.*, Печеницин Д.С.*, Скакун В.С.*, Соснин Э.А.*, Тарасенко В.Ф.*, Кузнецов В.С.*
    Апокамп — феномен формирования плазменной струи от изгиба канала импульсно-периодического разряда
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  3. Тарасенко В.Ф.*, Бураченко А.Г.*, Бакшт Е.Х.*
    Излучение полиметилметакрилата при облучении пучком убегающих электронов, сформированных в газовом диоде
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  4. Шулепов М.А.*, Ерофеев М.В.*, Рипенко В.С.*, Тарасенко В.Ф.*
    Изменение концентраций примесей на поверхности титана после воздействия объемным разрядом в зависимости от времени
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  5. Рипенко В.С.*, Ерофеев М.В.*, Шулепов М.А.*, Тарасенко В.Ф.*
    Модификация поверхностных слоев меди объемным разрядом атмосферного давления
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  6. Рипенко В.С.*, Ерофеев М.В.*, Шулепов М.А.*, Тарасенко В.Ф.*
    Очистка и активация поверхности кремния объемным разрядом атмосферного давления
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия
  7. Тарасенко В.Ф.*, Бакшт Е.Х.*, Ломаев М.И.*
    Убегающие электроны и волны ионизации при пробое газов высокого давления в неоднородном поле
    *Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия

К списку участников