Бакшт, Евгений Хаимович
Старший научный сотрудник, Кандидат технических наукИнститут сильноточной электроники СО РАН
http://www.hcei.tsc.ru
Россия, 634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Телефон: +7(382-2) 49-15-44, Факс: +7(382-2) 49-24-10
Список докладов
- Панарин В.А.*, Бакшт Е.Х.*, Печеницин Д.С.*, Скакун В.С.*, Соснин Э.А.*, Тарасенко В.Ф.*, Кузнецов В.С.*
Апокамп — феномен формирования плазменной струи от изгиба канала импульсно-периодического разряда
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия - Тарасенко В.Ф.*, Бураченко А.Г.*, Бакшт Е.Х.*
Излучение полиметилметакрилата при облучении пучком убегающих электронов, сформированных в газовом диоде
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия - Бакшт Е.Х.*, Беломытцев С.*, Бураченко А.Г.*, Гришков А.*, Шкляев В.А.*
Стабильность формирования пучка убегающих электронов в азоте при давлении 100 Торр
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия - Тарасенко В.Ф.*, Бакшт Е.Х.*, Ломаев М.И.*
Убегающие электроны и волны ионизации при пробое газов высокого давления в неоднородном поле
*Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Россия